控制器 1768-L45S 抗干擾能力強

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2023年8月29日，PCIM Asia 上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會在上海新國際博覽中心隆重揭幕，展會持續時間為3天。作為亞洲的電力電子展會，展會聚集了一眾業界翹楚，探索行業新趨勢和創新發展之路。

作為本屆展會的贊助商，三菱電機半導體攜變頻家電用智能功率模塊SLIMDIP-ZTM、工業與新能源發電用三電平IGBT模塊、新型3.3kV高壓SiC-MOSFET模塊、下一代電動汽車專用功率模塊4款新品及其他涵蓋多個電力電子應用領域的14款經典產品全線亮相，以行業發展和應用為導向，全面展示三菱電機功率器件的產品及技術趨勢。

 （發布會現場照片）

8月30日，三菱電機同步召開了以“創新功率器件構建可持續未來”為主題的媒體發布會。三菱電機半導體大中國區總經理赤田智史、三菱電機功率器件制作所首席技術顧問Gourab Majumdar 博士、三菱電機功率器件制作所技術顧問近藤晴房、三菱電機半導體大中國區市場總監陳偉雄、三菱電機半導體大中國區技術總監宋高升蒞臨發布會現場進行了主題演講，并針對記者提問，就三菱電機新產品和技術趨勢、市場戰略進行互動。

（發布會上答記者問）

創立于1921年的三菱電機，作為一家以技術驅動發展的全球綜合性企業，憑借強大的技術實力和良好的企業信譽在全球的電力設備、通信設備、工業自動化、電子元器件、家電等市場占據重要地位。尤其在電子元器件市場，三菱電機從事開發和生產半導體已有67年，其半導體產品更是在變頻家電、軌道牽引、工業與新能源、電動汽車、模擬/數字通訊以及有線/無線通訊等領域得到了廣泛的應用。

業務層面，從財報來看，三菱電機實現了穩定增長。公告顯示：三菱電機2023財年凈利潤為2139億日元，收入同比增長12%至50036億日元；對于2024財年，三菱電機預計收入為52000億日元，營業利潤為3300億日元，凈利潤為2600億日元。在前段時間三菱電機召開的投資說明會上，三菱電機社長兼CEO漆間啟先生著重強調了功率半導體業務是集團業務增長的主要牽引力。

用創新產品持續引領行業方向

展會上亮相的四款新品，延續了三菱電機一貫的在各個應用領域持續創新、不斷迭代的精神，以前沿技術和創新產品引領變頻家電、軌道牽引、工業與新能源、電動汽車行業發展。

（三菱電機亮相2023PCMI）

在變頻家電行業，繼SLIMDIP-STM、SLIMDIP-MTM、 SLIMDIP-WTM、 SLIMDIP-LTM、SLIMDIP-XTM之后，SLIMDIPTM封裝系列又添新成員SLIMDIP-ZTM。SLIMDIP-ZTM具有30A的高額定電流，主要應用于3匹變頻空調系統。

為了適應變頻家電市場高可靠性、低成本、小型化等應用需求，三菱電機優化了SLIMDIP-ZTM內部結構，擴大了RC-IGBT芯片的安裝面積并采用了全新的絕緣導熱墊片可使熱阻降低約40%。SLIMDIP系列封裝，幫助設計者縮短開發時間幫助，實現更簡單、更小型的家用電器逆變系統。

（變頻家電用智能功率模塊SLIMDIP-ZTM）

在工業與新能源行業，本次展示的這款工業與新能源發電用三電平IGBT模塊，采用了T型三電平拓撲。半橋部分采用了1200V第7代IGBT，而交流開關部分采用了650V第7代IGBT。這款三電平模塊具有200A和400A兩個電流規格。優化的封裝設計使得該模塊可以通過不同的數量并聯實現變流器的靈活功率配置，簡化電路設計。

在軌道牽引行業，繼3.3kV/185A、3.3kV/375A和3.3kV/750A全碳化硅模塊之后，三菱電機新開發了一款集成SBD的SiC-MOSFET模塊，其規格為3.3kV/800A，它將有助于為鐵路、電力系統及大型工業變流系統提供更大功率密度、更高效率和可靠性。

在封裝結構和形式上，這款SiC MOSFET模塊采用集成SBD的SiC MOSFET和優化的封裝結構，與公司現有的硅功率模塊相比，開關損耗降低了91%，與現有3.3kV/750A全SiC功率模塊相比降低了66%。從而降低了變流器功率損耗，并有助于提高輸出功率和效率，有效減少碳排放。此外，該款SiC MOSFET模塊采用了LV100封裝形式，可以通過不同的數量并聯實現變流器的靈活功率配置，簡化電路設計。

 （新型3.3kV高壓SiC-MOSFET模塊）

在電動汽車行業，三菱電機正在開發下一代電動汽車專用功率模塊。該系列模塊擁有1300V和750V兩個電壓等級，分別采用SiC MOSFET和RC-IGBT芯片技術。該系列模塊采用三菱電機擅長的壓注模工藝。在保證可靠性的同時，大大提升生產效率。

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